檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "劉舜維".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="氧化銦鎵鋅"
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金屬氧化物半導體薄膜電晶體(Oxide-TFT)由於其高載子遷移率、高可見光透明性、大面積均勻性、低溫製成及低漏電流…等,於近年來常被應用於大尺寸面板甚至是攜帶型產品中作為驅動或是補償電路的元件使用…
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一般而言,薄膜電晶體使用黃光微影製程來進行圖案化以防止柵極漏電流,但是該方法不適合用於溶液製程的薄膜電晶體。我們開發了一種簡單快速的方法,透過旋轉塗佈自組裝單分子來製造具有低柵極漏電流的薄膜電晶體。…